中国科学技术大学张汇获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利基于固态高温合成范德华错配位层状化合物的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980477B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510459387.5，技术领域涉及：C30B29/68；该发明授权基于固态高温合成范德华错配位层状化合物的方法及应用是由张汇;杨皓博;贾诚;黄文宇设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于固态高温合成范德华错配位层状化合物的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于固态高温合成范德华错配位层状化合物的方法及应用，属于功能器件技术领域，该化合物由至少两种范德华材料亚层构成；在制备方法上，通过高温烧结合成在热力学稳定的情况下存在的结构，实现异质结构交替自组装生长；在应用方面，构建功能器件应用调控体系，实现化合物在横向铁电金属忆阻器、垂直压电器、超导铁电忆阻器件等领域的应用。本发明解决了传统制备范德华错配位层状化合物工艺复杂、效率低、成本高的问题，构建了功能器件应用调控体系，实现了其在多领域广泛应用，为未来科技发展提供了全新的方向。
本发明授权基于固态高温合成范德华错配位层状化合物的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于固态高温合成的范德华错配位层状化合物，其特征在于，所述范德华错配位层状化合物通过固态高温合成方法制得，由至少两种范德华材料亚层构成，所述范德华材料亚层中的一层为含有第V族过渡金属铌的NbSe2化合物层，所述范德华材料亚层中的另一层为含有第IV族金属锡的SnSe化合物层，且两种范德华材料亚层的原子之间通过范德华力相连接，构成化学式为SnSe1.16NbSe2的范德华错配位层状化合物； 两种所述范德华材料亚层分别为四方相层A和六方相层B，按照ABAB的堆垛方式构成异质超晶格；所述范德华错配位层状化合物的晶体结构通过拉曼光谱和扫描透射电子显微镜-高角环形暗场联合表征，包含两种不同晶格常数的二维成分，且呈现交错排列，以形成错配位层状结构。
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