江苏长晶科技股份有限公司杨国江获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏长晶科技股份有限公司申请的专利一种源区掺杂调制IGBT结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510512284.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种源区掺杂调制IGBT结构及制备方法是由杨国江;刘建华;芮强设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种源区掺杂调制IGBT结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种源区掺杂调制IGBT结构及制备方法。一种源区掺杂调制IGBT结构，包括：依次层叠的集电极金属电极、集电极、缓冲层、第一漂移区、调制层和第二漂移区；电荷存储层，通过多个调制柱与调制层连接；依次层叠于电荷存储层上的体区、发射极、第一介质层、发射极金属电极和钝化层；其中，介质层底部设有多个多晶硅栅电极，各多晶硅栅电极穿过发射极、体区和电荷存储层后，一一伸入调制柱中，各多晶硅栅电极外部包覆有第二介质层；发射极金属电极嵌入发射极和第二漂移区，与体区接触。本申请提供的IGBT结构能够在保持导通压降不变的基础上，降低IGBT的米勒电容和电容拐点，大幅提升器件的动态性能。
本发明授权一种源区掺杂调制IGBT结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种源区掺杂调制IGBT结构，其特征在于：包括： 依次层叠的集电极金属电极、集电极、缓冲层、第一漂移区、调制层和第二漂移区； 电荷存储层，通过多个调制柱与所述调制层连接，所述调制柱与所述调制层组成电容调制层，补偿N型的电荷存储层； 依次层叠于所述电荷存储层上的体区、发射极、第一介质层、发射极金属电极和钝化层； 其中，所述第一介质层底部设有多个多晶硅栅电极，各所述多晶硅栅电极穿过所述发射极、所述体区和所述电荷存储层后，一一伸入所述调制柱中，各所述多晶硅栅电极外部包覆有第二介质层； 所述发射极金属电极嵌入所述发射极和所述第一介质层，与所述体区接触。
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