江苏芯德半导体科技股份有限公司巩森森获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510541161.X，技术领域涉及：H01L21/603；该发明授权一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法是由巩森森;李博文;姚宏鹏设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法，该方法包括以下步骤：提供载体晶圆，研磨载体晶圆用于承载芯片的第一表面，使其平整；清洁后，对第一表面进行等离子刻蚀；并在等离子刻蚀后的第一表面溅射不锈钢层；提供衬底晶圆，将芯片贴装在衬底晶圆表面；并利用树脂胶覆盖所有芯片和衬底晶圆表面；将载体晶圆覆盖至衬底晶圆上，不锈钢层接触树脂胶，使用压合设备进行加压，使载体晶圆的不锈钢层和衬底晶圆的树脂胶粘合；剥离衬底晶圆，得到芯片有源面裸露的重组后的晶圆结构。本发明提供的方法能够大大改善eWLB封装作业流程中的承载晶圆键合后与膜类树脂之间的结合力，避免后续作业过程中异常的发生。
本发明授权一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式晶片级球栅阵列键合工艺中避免分层的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、提供键合工艺中用于承载芯片的载体晶圆，研磨载体晶圆用于承载芯片的第一表面，使其平整；清洁后，对第一表面进行等离子刻蚀；并在等离子刻蚀后的第一表面溅射不锈钢层； S2、提供用于和载体晶圆键合的衬底晶圆，将多个芯片贴装在衬底晶圆表面，且芯片有源面朝向衬底晶圆表面；并利用树脂胶覆盖所有芯片和衬底晶圆表面； S3、将载体晶圆覆盖至衬底晶圆上，不锈钢层接触树脂胶，使用压合设备进行加压，使载体晶圆的不锈钢层和衬底晶圆的树脂胶粘合； S4、剥离衬底晶圆，得到芯片有源面裸露的重组后的晶圆结构。
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