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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种分区溅射装置及其磁控溅射原子沉积方向的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120060806B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510549753.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种分区溅射装置及其磁控溅射原子沉积方向的控制方法是由张陈斌;张超;欧阳军晨;陆雯洁;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分区溅射装置及其磁控溅射原子沉积方向的控制方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种分区溅射装置及其磁控溅射原子沉积方向的控制方法。本发明分区溅射装置的壳体内设置有密封腔，密封腔内设置有靶材和基底座，基底座与壳体连接，用于安装基底，靶材用于向基底溅射靶原子；密封腔内还设置有磁控组件及遮件，磁控组件包括第一和第二磁控组件，第一或第二磁控组件在气缸的带动下能够在滑轨上相对靶材运动，使得磁控组件能够仅对靶材的中心区域或同时对靶材的中心区域和边缘区域进行溅射；遮件用于遮挡靶材的边缘区域，使得磁控组件能够仅对靶材的中心区域或同时对靶材的中心区域和边缘区域进行溅射。采用本发明的分区溅射装置进行两步溅射，能以高台阶覆盖率填孔，增加填孔表面的平坦度。

本发明授权一种分区溅射装置及其磁控溅射原子沉积方向的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种分区溅射装置，其特征在于，包括壳体，所述壳体内设置有第一密封腔，所述第一密封腔内设置有靶材（1）和基底座，所述基底座与所述壳体连接，用于安装基底，所述靶材（1）用于向所述基底溅射靶原子； 所述第一密封腔内还设置有磁控组件（2）及遮件（3），所述磁控组件（2）由电机（8）驱动，包括第一磁控组件（21）和第二磁控组件（22），所述第一磁控组件（21）或第二磁控组件（22）在气缸（4）的带动下能够在滑轨（5）上相对所述靶材（1）运动，使得所述磁控组件（2）能够仅对所述靶材（1）的中心区域（11）进行溅射或同时对所述靶材（1）的中心区域（11）和边缘区域（12）进行溅射； 所述遮件（3）能够在竖直方向上发生可逆形变，当所述遮件（3）处于正常状态时，能够遮挡所述靶材（1）的边缘区域（12），所述磁控组件（2）仅对所述靶材（1）的中心区域（11）进行溅射，记为工况A； 当所述遮件（3）被压缩时，不会遮挡所述靶材（1）的边缘区域（12），所述磁控组件（2）同时对所述靶材（1）的中心区域（11）和边缘区域（12）进行溅射，记为工况B； 所述靶材（1）包括中心区域（11）和边缘区域（12），其中，d≤12D，d是所述中心区域（11）的直径，D是靶材（1）的直径； 所述中心区域（11）和边缘区域（12）之间设置绝缘块（6），所述绝缘块（6）用于隔开所述中心区域（11）和边缘区域（12），使得电源能够单独对所述中心区域（11）供电； 当电源单独为所述靶材（1）的中心区域（11）供电时，记为工况A； 当电源同时为所述靶材（1）的中心区域（11）和边缘区域（12）供电时，记为工况B。

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