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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120112153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510563652.4，技术领域涉及：H10N30/063；该发明授权一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺是由阮永都;施钧辉;杨晓慧;郑志超;冀梦辉;王珊;苏义印;郭汝乾设计研发完成，并于2025-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺，方法包括以下步骤：根据稀疏阵元坐标利用真空吸附和丝网印刷在PVDF或PVDF‑TrFE压电薄膜上形成图案化电极，并在外围设置虚拟过渡阵元；激光刻蚀压电薄膜的边缘轮廓和排气孔；设计粘接定位辅助工具，结合超薄双面胶以及单面掩膜胶带，利用导电银浆实现阵元与PCB焊盘的精准电连接；设计聚四氟乙烯‑金属压平模块，在真空环境中压合阵列以固化粘接；匹配层采用低阻抗透声材料，从背面分次灌胶并真空除泡，结合聚酰亚胺薄膜和金属超平板完成稀疏传感阵列的制备。本发明解决了大孔径高频成像声呐在传感阵列上的制备难题，可提升阵元位置精确度、阵元一致性以及成像分辨率。

本发明授权一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种三维摄像声呐稀疏传感阵列的制备工艺，其特征在于，包括： 计算阿基米德螺旋、斐波那契螺旋、模拟退火优化、粒子群优化、遗传优化算法稀疏传感阵列形式的阵元坐标，设计图案化电极并且在稀疏阵列最外围设计一圈虚拟过渡阵元，利用微孔真空吸附平台将大尺寸PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜吸附平整，在其面向PCB电路板的一侧上丝网印刷出稀疏阵元的图案化银电极，通过机器视觉四点定位激光刻蚀PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜的边缘轮廓和排气孔，并且薄膜边缘设有角度定位凸出，同时设计制作PCB电路板并在其四边设灌胶缺口； 根据稀疏阵列图案激光刻蚀超薄双面胶和单面掩膜胶带，使超薄双面胶的一侧先粘接在PCB电路板上，并漏出所有阵元对应的电极焊盘，然后用单面掩膜胶带黏贴在超薄双面胶的上侧保护层上，紧接着在单面掩膜胶带的整个表面上均匀涂抹导电银浆，撕除单面掩膜胶带以及超薄双面胶的上侧保护层，保留超薄双面胶的粘性层并漏出阵元位置的导电银浆； 利用设计好的粘接定位辅助工具将切割好的PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜准确贴在超薄双面胶上，阵元位置通过导电银浆实现图案化银电极与PCB焊盘的电连接，银浆固化≥24小时；固化后，除PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜覆盖的区域之外，使用低粘性单面掩膜胶带将PCB电路板的各区域进行遮盖，在压电薄膜上方丝网印刷导电银浆作为背电极，银浆固化≥24小时； 在PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜边缘膜涂抹环氧树脂，放入真空箱并在PVDF或PVDF-TrFE压电薄膜上放置压平模块≥12小时；固化后同样在排气孔位置上涂抹环氧树脂并放入真空箱≥12小时；匹配层采用背面灌胶一次成型的方法，分≥3次从外框背面灌入低阻抗高流动性的环氧树脂，且每次灌入时将样品倾斜抽真空≥20分钟，然后全部放入烘箱，40℃烘干≥24小时。

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