恭喜台湾积体电路制造股份有限公司丁姮彣获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957369B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910923807.5，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体装置的形成方法是由丁姮彣;陈科维;李启弘;郑培仁;宋学昌;李彦儒;林俊安设计研发完成，并于2019-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置的形成方法包括蚀刻半导体鳍片以形成凹槽；以及形成源极漏极区域于凹槽之中，形成源极漏极区域包括：在600℃至800℃的温度下外延成长第一半导体材料于凹槽之中，第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及在300℃至600℃的温度下顺应性地沉积第二半导体材料于第一半导体材料之上，第二半导体材料包括掺杂的硅锗且与第一半导体材料具有不同的组成。
本发明授权半导体装置的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，包括： 蚀刻一或多个半导体鳍片以形成一或多个凹槽；以及 形成源极漏极区域于该一或多个凹槽之中，其中形成该源极漏极区域包括： 在600℃至800℃的一温度下外延成长一第一半导体材料于该一或多个凹槽之中，该第一半导体材料包括掺杂的硅锗；以及 外延成长一第二半导体材料于该第一半导体材料上，该第二半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第一半导体材料具有一不同的组成； 在300℃至600℃的一温度下顺应性地沉积一第三半导体材料于该第二半导体材料之上，该第三半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第二半导体材料具有一不同的组成，其中沉积该第三半导体材料的步骤包括： 顺应性沉积一第一半导体层于该第二半导体材料上并接触该第二半导体材料；以及 在沉积该第一半导体层时，输送一蚀刻气体， 顺应性沉积一第四半导体材料于该第三半导体材料上，该第四半导体材料包括掺杂的硅锗且与该第三半导体材料具有一不同的组成，其中该第一半导体材料的最顶点低于该第三半导体材料的最底点与该第四半导体材料的最底点，且其中该第一半导体材料、该第二半导体材料、该第三半导体材料、与该第四半导体材料包括晶面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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