恭喜长鑫存储技术有限公司钱仕兵获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911201825.9，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体测试结构是由钱仕兵设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体测试结构，用于在测试MOS器件的栅电容时作为栅电极的引出端与外部测试结构连接。所述半导体测试结构包括衬底，所述衬底上设有待测试的MOS器件；焊盘，用于连接外部测试结构；顶层金属层，与所述焊盘和待测试的MOS器件的栅电极均连接；底层金属层，所述底层金属层与所述衬底、焊盘和顶层金属层均不互连。本发明的技术方案通过串联连接多个寄生电容的方法，减小了与栅电容并联连接的总寄生电容，从而降低了总寄生电容对栅电容测试结果的影响，获得了准确的栅电容测试结果。
本发明授权半导体测试结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，用于在测试MOS器件的栅电容时作为栅电极的引出端与外部测试结构连接，其特征在于，所述半导体测试结构包括： 衬底，所述衬底上设有待测试的MOS器件，所述MOS器件包括栅电极和栅介质层，所述栅介质层材料为高K的金属氧化物； 焊盘，用于连接外部测试结构； 顶层金属层，与所述焊盘和待测试的MOS器件的栅电极均连接； 底层金属层，与所述栅电极、焊盘和顶层金属层均不互连，所述底层金属层与所述衬底之间以及所述底层金属层与所述顶层金属层之间形成了串联的寄生电容。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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