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恭喜朗姆研究公司鲍里斯·沃洛斯基获国家专利权

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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利抗蚀剂的干式显影获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113227909B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980085227.1,技术领域涉及:G03F7/36;该发明授权抗蚀剂的干式显影是由鲍里斯·沃洛斯基;蒂莫西·威廉·威德曼;萨曼莎·西亚姆华·坦;吴呈昊;凯文·顾设计研发完成,并于2019-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

抗蚀剂的干式显影在说明书摘要公布了:抗蚀剂的干式显影可使用于例如在高分辨率图案化中形成图案化掩模。干式显影可有利地通过半导体衬底的处理方法来实现,该方法包括:在处理室中将已光图案化的抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上;以及通过以下方式对所述已光图案化的抗蚀剂进行干式显影:通过包括暴露于化学化合物以形成抗蚀剂掩模的干式显影处理来去除所述抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分。所述抗蚀剂可以是EUV敏感的含有机金属氧化物或有机金属的薄膜EUV抗蚀剂。

本发明授权抗蚀剂的干式显影在权利要求书中公布了:1.一种半导体衬底的处理方法,其包括: 在处理室中将EUV图案化抗蚀剂提供至半导体衬底上的衬底层上,其中,所述EUV图案化抗蚀剂包含未暴露的有机金属氧化物部分和已暴露的金属氧化物部分,其中有机取代基通过EUV曝光裂解; 通过干式显影处理去除所述EUV图案化抗蚀剂的已暴露部分或未暴露部分对所述EUV图案化抗蚀剂进行干式显影以形成抗蚀剂掩模,所述干式显影处理包括将抗蚀剂暴露于在有机金属氧化物部分和金属氧化物部分之间具有选择性的化学化合物中。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司,其通讯地址为:美国加利福尼亚州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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