台湾积体电路制造股份有限公司游家齐获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130395B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011606619.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件是由游家齐;谢瑞夫;林侑立;廖志腾;陈臆仁设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法和半导体器件在说明书摘要公布了：在方法中，在半导体鳍上方形成第一介电层，在第一介电层上方形成第二介电层，使第二介电层凹进至每个半导体的顶部之下，在凹进的第二介电层上方形成第三介电层，使第三介电层凹进至半导体鳍的顶部之下，从而形成壁鳍。壁鳍包括凹进的第三介电层和设置在凹进的第三介电层下方的凹进的第二介电层，使第一介电层凹进至壁鳍的顶部之下，形成鳍衬垫层，使鳍衬垫层凹进并且使半导体鳍凹进，以及分别在凹进的半导体鳍上方形成源极漏极外延层。源极漏极外延层通过壁鳍彼此分隔开。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。
本发明授权制造半导体器件的方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括： 在设置在半导体衬底上方的半导体鳍上方形成第一介电层，所述第一介电层形成的间隔将相邻的所述半导体鳍间隔开； 在所述第一介电层上方形成第二介电层； 使所述第二介电层凹进至每个半导体的顶部之下并填充在所述间隔内； 在凹进的第二介电层上方形成第三介电层； 使所述第三介电层凹进至每个半导体鳍的顶部之下并填充在所述间隔内，从而形成设置在所述半导体鳍之间的壁鳍，所述壁鳍包括凹进的第三介电层和设置在所述凹进的第三介电层下方的所述凹进的第二介电层，其中，在所述间隔内，所述第二介电层的侧壁、所述第三介电层的侧壁与所述间隔的内壁直接接触并共面； 使所述第一介电层凹进至所述壁鳍的顶部之下； 在每个半导体鳍的上部和所述壁鳍的上部上方形成鳍衬垫层，所述壁鳍从凹进的第一介电层突出； 蚀刻所述鳍衬垫层并且使所述半导体鳍凹进；以及 分别在凹进的半导体鳍上方形成源极漏极外延层， 其中，所述源极漏极外延层通过所述壁鳍彼此分隔开。
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