中芯集成电路(宁波)有限公司王金丽获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114684772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011636664.9，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权半导体器件及其制作方法是由王金丽;向阳辉;刘孟彬设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件，包括：衬底，衬底包括功能区；设置于衬底上的阻挡层，阻挡层与衬底围成第一空腔和第二空腔，第一空腔暴露至少部分功能区，第二空腔位于第一空腔外围，阻挡层设有连通第一空腔和第二空腔的释放通道；阻挡层上开设有释放孔，释放孔位于第二空腔范围内，且释放孔与第二空腔连通。本发明通过在第一空腔外围形成第二空腔，并通过释放通道连通第一空腔和第二空腔，从而便于通过释放孔去除形成第二空腔和第一空腔的释放层材料，从而形成暴露至少部分功能区的第一空腔，另外，将释放孔设置于第二空腔上的阻挡层上，以避免形成的保护层材料落入第一空腔内，进而确保第一空腔的洁净程度。
本发明授权半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括功能区； 设置于所述衬底上的阻挡层，所述阻挡层与所述衬底围成第一空腔和第二空腔，所述第一空腔暴露至少部分所述功能区，所述第二空腔位于所述第一空腔外围，所述阻挡层设有连通所述第一空腔和所述第二空腔的释放通道； 所述阻挡层上开设有释放孔，所述释放孔位于所述第二空腔范围内，且所述释放孔与所述第二空腔连通； 所述释放通道围成封闭的环形，位于所述第一空腔和所述第二空腔之间的所述阻挡层临近于所述衬底的表面被暴露于所述释放通道中；或者，所述释放通道数量为至少一个，位于所述第一空腔和所述第二空腔之间的部分所述阻挡层临近于所述衬底的表面被暴露于所述释放通道中； 所述阻挡层上设有保护层，所述保护层覆盖所述释放孔； 所述保护层位于所述阻挡层的上表面；或者， 所述保护层位于所述阻挡层上表面及其外围侧壁。
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