中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司李其衡获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114755896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110023981.1,技术领域涉及:G03F7/30;该发明授权用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机是由李其衡;丁明正;贺晓彬;刘强;刘金彪;周娜设计研发完成,并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机在说明书摘要公布了:本发明涉及一种用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机。用于检测处理单元性能的晶圆选择包括:获取与待处理晶圆对应的处理单元类型以及每类处理单元的数量,确定处理组合;根据处理组合的数量,确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量;将待处理晶圆按批次依次输送进涂胶显影机进行处理;获取每一批次晶圆对应的记录表;根据记录表和每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的晶圆作为待检测晶圆。能够在对最少的晶圆进行检测的情况下,清楚的获取每个处理单元的处理效果,避免重复测量和漏测量,从而提高对处理单元进行监测的效率,降低漏测量的处理单元对产品的不良影响。
本发明授权用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法和涂胶显影机在权利要求书中公布了:1.一种用于监测处理单元性能的检测晶圆选择方法,其特征在于,包括: 获取与待处理晶圆对应的处理单元类型以及每类处理单元的数量,确定处理组合; 根据所述处理组合的数量,确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量; 将所述待处理晶圆按批次依次输送进涂胶显影机进行处理; 获取每一批次晶圆对应的记录表; 根据所述记录表和每批所述待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的所述晶圆作为所述待检测晶圆; 所述根据所述处理组合的数量,确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,包括: 将所述处理组合的数量作为待测量晶圆的总数量; 根据所述待处理晶圆的总批次和所述总数量,确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量; 在所述根据所述待处理晶圆的总批次和所述总数量,确定每批待处理晶圆对应的待检测晶圆数量之前,还包括: 若存在预设数量,则将所述预设数量作为待测量晶圆的总数量,其中,所述预设数量大于所述处理组合的数量; 所述根据所述记录表和每批所述待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的所述晶圆作为所述待检测晶圆,包括: 若不存在所述预设数量,或所述预设数量等于所述处理组合的数量,则根据所述记录表和每批所述待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,依次从每一批中确定对应数量的经过不同处理组合的所述晶圆作为所述待检测晶圆,其中,每一批中的所述待检测晶圆使用的处理组合唯一; 所述根据所述记录表和每批所述待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,从每一批次晶圆中确定对应数量的经过不同处理组合的所述晶圆作为所述待检测晶圆,还包括: 若所述预设数量大于所述处理组合的数量,则根据所述记录表和每批所述待处理晶圆对应的待检测晶圆数量,依次从每一批中确定对应数量的经过不同处理组合的所述晶圆作为所述待检测晶圆,其中,每一批中的所述待检测晶圆使用的处理组合不唯一,且各待检测晶圆使用的处理组合包括所有所述处理组合。
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