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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司申请的专利薄膜体声波谐振器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114978077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110217226.7，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权薄膜体声波谐振器的制造方法是由黄河;罗海龙;李伟设计研发完成，并于2021-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜体声波谐振器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：提供临时衬底；在临时衬底上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上依次形成第二电极层、压电层和第一电极层；刻蚀第一电极层形成第一凹槽和第一电极，第一凹槽贯穿第一电极；在第一电极上形成具有第一空腔的支撑层，第一空腔暴露第一凹槽和部分第一电极；在支撑层上形成第一衬底，第一衬底覆盖第一空腔；去除临时衬底和刻蚀停止层；刻蚀第二电极层形成第二电极和第二凹槽，第二凹槽贯穿第二电极。本发明通过在临时衬底和第二电极层之间形成刻蚀停止层，以便于去除临时衬底时，通过刻蚀停止层作为阻挡层，避免刻蚀对第一电极层表面造成损伤以致电极频率不稳定的情况。

本发明授权薄膜体声波谐振器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括： 提供临时衬底； 在所述临时衬底上形成刻蚀停止层； 在所述刻蚀停止层上依次形成第二电极层、压电层和第一电极层； 刻蚀所述第一电极层形成第一凹槽和第一电极，所述第一凹槽贯穿所述第一电极； 在所述第一电极上形成具有第一空腔的支撑层，所述第一空腔暴露所述第一凹槽和部分所述第一电极； 在所述支撑层上形成第一衬底，所述第一衬底覆盖所述第一空腔； 去除所述临时衬底和所述刻蚀停止层； 刻蚀所述第二电极层形成第二电极和第二凹槽，所述第二凹槽贯穿所述第二电极； 去除所述临时衬底和所述刻蚀停止层的方法包括： 对所述临时衬底进行减薄； 采用刻蚀工艺沿所述临时衬底向所述第二电极层刻蚀，直至去除所述刻蚀停止层； 所述刻蚀停止层和所述第二电极层的湿法刻蚀选择比范围为10～50； 采用湿法刻蚀工艺去除所述刻蚀停止层，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀剂包括磷酸、氢氟酸中的至少一种，溶液中磷酸、氢氟酸的摩尔比为1:10:60～1:1:1，工艺温度为25℃～45℃，刻蚀时间1分钟～10分钟。

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