新加坡商格罗方德半导体私人有限公司B·W·文获国家专利权
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龙图腾网获悉新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利晶体管装置及形成晶体管装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113675272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110529061.7，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权晶体管装置及形成晶体管装置的方法是由B·W·文;J·M·具设计研发完成，并于2021-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管装置及形成晶体管装置的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及晶体管装置及形成晶体管装置的方法。可提供一种LDMOS晶体管装置，包括其中设有导电区的衬底，设于该衬底内的第一隔离结构，设于该导电区内的源区与漏区，设于该源区与该漏区之间的第二隔离局部隔离结构，以及至少部分设于该第二隔离结构内的栅极结构。该第一隔离结构可沿该导电区的边界的至少一部分延伸，且该第二隔离结构的深度可小于该第一隔离结构的深度。在使用期间，可沿设于该第二隔离局部隔离结构内的该栅极结构的侧面的至少一部分形成电子流的沟道。
本发明授权晶体管装置及形成晶体管装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管装置，包括： 衬底，在其中设有导电区； 第一隔离结构，设于该衬底内，其中，该第一隔离结构沿该导电区的边界的至少一部分延伸； 源区与漏区，设于该导电区内； 第二隔离结构，设于该源区与该漏区之间，其中，该第二隔离结构的深度小于该第一隔离结构的深度； 栅极结构，至少部分设于该第二隔离结构内；以及 漂移区，设于该导电区内， 其中，面向该源区的该栅极结构的侧面与该第二隔离结构的侧面及该漂移区的侧面垂直对齐。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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