力晶积成电子制造股份有限公司陈骏盛获国家专利权
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龙图腾网获悉力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利单光子发光元件与发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110563680.8，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权单光子发光元件与发光装置是由陈骏盛设计研发完成，并于2021-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子发光元件与发光装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种单光子发光元件与发光装置，所述单光子发光元件包括堆叠结构、源极与漏极以及外部驱动电路。源极与漏极分别设置于所述堆叠结构的相对侧。所述堆叠结构包括作为电子源的单电子晶体管或者作为空穴源的单空穴晶体管、隧穿层与复合区域。所述外部驱动电路则被配置以输出一驱动信号。根据所述驱动信号，使单电子晶体管中的单电子以及或者单空穴晶体管中的单空穴于复合区域内复合发出单光子，所述复合区域是量子点、未掺杂的undoped直接能隙半导体层或者反态载流子池anti‑statedopedregioncarrierpool。
本发明授权单光子发光元件与发光装置在权利要求书中公布了：1.一种单光子发光元件，包括： 堆叠结构； 源极与漏极，分别设置于所述堆叠结构的相对侧；以及 外部驱动电路，被配置以输出驱动信号，其中 所述堆叠结构包括： 单电子量子点； 第一隧穿层，完全包覆所述单电子量子点； 单电子栅极结构，完全环绕所述单电子量子点并通过所述第一隧穿层，与所述单电子量子点相隔离； 单空穴量子点，与所述单电子量子点相邻； 第二隧穿层，完全包覆所述单空穴量子点；以及 单空穴栅极结构，完全环绕所述单空穴量子点并通过所述第二隧穿层，与所述单空穴量子点相隔离，且 根据所述驱动信号，控制所述单电子量子点的单电子隧穿注入所述单空穴量子点，以使电子空穴在所述单空穴量子点复合发出单光子；或控制所述单空穴量子点的单空穴隧穿注入所述单电子量子点，以使电子空穴在所述单电子量子点复合发出单光子。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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