台湾积体电路制造股份有限公司林铭祥获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380844B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110593957.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法是由林铭祥;陈昀澔;吴国裕;卢泽华设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：用于子像素的多个光伏结可以形成在半导体衬底中。在减薄半导体衬底的背面之后，可以在减薄的半导体衬底的背侧表面上形成至少一个透明折射结构。每个透明折射结构具有可变厚度，该可变厚度随着距离穿过子像素的第二导电型柱结构的几何中心的垂直轴线的横向距离的减小而减小。包括光学透镜的子像素光学组件可以在至少一个透明折射结构上方形成。每个透明折射结构可以减小向下传播到光电探测器中的光的倾斜角，增加光的全内反射并提高光电探测器的效率。本申请的实施例还涉及图像传感器及其形成方法。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括位于半导体衬底上的图像像素阵列，其中： 所述图像像素阵列内的每个图像像素包括至少一个子像素； 每个子像素包括多个光伏结、感测电路、被配置为将入射光引导到所述多个光伏结上并包括光学透镜的子像素光学组件，以及至少一个透明折射结构； 所述多个光伏结中的每个包括相应的第一导电型固定层和相应的第二导电型柱结构，所述第一导电型固定层和所述第二导电型柱结构位于第一水平面和第二水平面之间，所述第一水平面包括所述半导体衬底的正面，所述感测电路位于所述半导体衬底的所述正面上，所述第二水平面包括所述半导体衬底的背侧表面，所述半导体衬底的所述背侧表面位于所述第一水平面和所述光学透镜之间；并且 所述至少一个透明折射结构在锥形界面处与所述第二导电型柱结构接触，所述至少一个透明折射结构的距所述第一水平面最远的表面包括所述至少一个透明折射结构的完全位于所述第二水平面内的水平面。
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