买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件以及制造半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110594716.9，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件以及制造半导体结构的方法是由陈重辉;陈东村;黄睿政设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件以及制造半导体结构的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：第一SD布置，包括：对应有源区的具有硅化物夹置结构的硅化物夹置部分；对应金属至漏极源极MD接触结构的第一部分；第一通孔至MDVD结构；以及第一掩埋通孔至源极漏极BVD结构；栅极结构，位于该对应有源区的沟道部分上方；以及第二SD布置，包括：该对应有源区的第一掺杂部分；以及至少各项以下中的一个：上接触布置，包括：位于该第一掺杂部分上方的第一硅化物层，该对应MD接触结构的第二部分；以及第二VD结构；或下接触布置，包括：位于该第一掺杂部分下方的第二硅化物层，和第二BVD结构。本申请的实施例还涉及制造半导体结构的方法。

本发明授权半导体器件以及制造半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一源极漏极布置，包括： 对应有源区的具有硅化物夹置结构的硅化物夹置部分； 对应金属至漏极源极接触结构的位于所述硅化物夹置部分上方并与所述硅化物夹置部分电耦合的第一部分； 第一通孔至金属至漏极源极结构，位于所述对应金属至漏极源极接触结构的所述第一部分上方并与所述对应金属至漏极源极接触结构电耦合；以及 第一掩埋通孔至源极漏极结构，位于所述硅化物夹置部分下方并与所述硅化物夹置部分电耦合； 栅极结构，位于所述对应有源区的沟道部分上方并与所述对应有源区的沟道部分场耦合；以及 第二源极漏极布置，包括： 所述对应有源区的第一掺杂部分，所述沟道部分位于所述第一掺杂部分与所述硅化物夹置部分之间；以及 至少各项以下中的一个： 上接触布置，包括： 第一硅化物层，位于所述第一掺杂部分上方并与所述第一掺杂部分电耦合；以及 对应金属至漏极源极接触结构的第二部分，位于所述第一硅化物层上方并与所述第一硅化物层电耦合；和 第二通孔至金属至漏极源极结构，位于所述对应金属至漏极源极接触结构的所述第二部分上方并与所述第二部分电耦合；或 下接触布置，包括： 第二硅化物层，位于所述第一掺杂部分下方并与所述第一掺杂部分电耦合；和 第二掩埋通孔至源极漏极结构，位于所述第二硅化物层下方并与所述第二硅化物层电耦合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。