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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种芯片键合方法及半导体芯片结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602556B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110777040.7，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种芯片键合方法及半导体芯片结构是由张志伟设计研发完成，并于2021-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片键合方法及半导体芯片结构在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种芯片键合方法和半导体芯片结构，所述方法包括：提供第一芯片；第一芯片包括第一接触垫；第一接触垫包括第一部分和第二部分，第一部分低于第一衬底的第一表面，第二部分高于第一衬底的第一表面，以形成呈台阶状的第一接触垫；提供第二芯片；第二芯片包括第二接触垫；第二接触垫包括第三部分和第四部分，第三部分低于第二衬底的第三表面，第四部分高于第二衬底的第三表面，以形成呈台阶状的第二接触垫；将第一芯片和第二芯片进行键合，其中，第一芯片的第一部分和第二部分分别与第二芯片的第四部分和第三部分接触。

本发明授权一种芯片键合方法及半导体芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片键合方法，其特征在于， 包括： 提供第一芯片；所述第一芯片包括第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面；所述第一芯片还包括位于第一表面一侧的所述第一衬底内的第一凹槽，以及位于所述第一凹槽内的第一接触垫；所述第一接触垫包括第一部分和第二部分，所述第一部分低于所述第一衬底的第一表面，所述第二部分高于所述第一衬底的第一表面，以形成呈台阶状的所述第一接触垫； 提供第二芯片；所述第二芯片包括第二衬底，所述第二衬底包括相对的第三表面和第四表面；所述第二芯片还包括位于第三表面一侧的所述第二衬底内的第二凹槽，以及位于所述第二凹槽内的第二接触垫；所述第二接触垫包括第三部分和第四部分，所述第三部分低于所述第二衬底的第三表面，所述第四部分高于所述第二衬底的第三表面，以形成呈台阶状的所述第二接触垫； 将所述第一芯片和所述第二芯片进行键合，其中，所述第一芯片的第一部分和第二部分分别与所述第二芯片的第四部分和第三部分接触； 将所述第一芯片和所述第二芯片进行键合后，在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间形成空隙； 其中，所述第一芯片还包括第一通孔结构，所述第一通孔结构位于所述第一衬底的第二表面一侧的所述第一衬底内；沿垂直于所述第一衬底平面方向的投影中，所述空隙的投影图像落在所述第一通孔结构的投影图像内；所述第一凹槽位于所述第一通孔结构的上方； 所述第二芯片还包括第二通孔结构，所述第二通孔结构位于所述第二衬底的第四表面一侧的所述第二衬底内；沿垂直于所述第二衬底平面方向的投影中，所述空隙的投影图像落在所述第二通孔结构的投影图像内；所述第二凹槽位于所述第二通孔结构的上方。

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