江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110802092.5，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片是由王国斌;王建峰;毕文刚;刘宗亮;闫其昂;周溯源;徐科设计研发完成，并于2021-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请提供一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片。该外延层结构，其包括：依次层叠的衬底、P型区域层、量子调制层、发光有源区及N型区域层。该外延层结构采用P型倒置的氮化物光电器件，可以获得高质量P型区域，可以高温生长而获得高的晶体质量和掺杂效果。同时简化了外延层结构。
本发明授权一种氮化物光电器件的外延层结构、生长方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种氮化物光电器件的外延层结构，其特征在于，包括： 衬底、P型区域层、量子调制层、发光有源区及N型区域层， 其中，所述衬底上层叠P型区域层，所述P型区域层上层叠量子调制层，所述量子调制层上层叠发光有源区，所述发光有源区上层叠N型区域层；且所述发光有源区与所述N型区域层直接接触； 其中，所述P型区域层的生长温度为1050℃-1100℃，所述P型区域层为Mg掺杂的P型GaN； 所述量子调制层为高低温组合生长的AlGaNInGaN的循环结构，且所述循环结构用于实现高低势垒阱的生长，高势垒用以阻挡溢出电子，低势阱用于应力驰豫； 其中，所述的高低温组合生长为：在第一温度区间850℃-1000℃生长一定厚度的第一个AlGaN层后，再降温至第二温度区间700℃-850℃内时生长一定厚度的InGaN材料层，再升温生长第二个AlGaN层，如此循环生长； 所述第二个AlGaN层的生长温度大于所述InGaN材料层的生长温度，且所述第二个AlGaN层的生长温度小于所述第一个AlGaN层的生长温度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏第三代半导体研究院有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号