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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115701210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110807121.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由肖德元;张丽霞设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：基底和位于基底上的存储单元，存储单元包括第一介质层和位于第一介质层内的金属位线；半导体通道位于金属位线部分表面；字线环绕半导体通道的部分区域设置；第二介质层位于金属位线与字线之间和位于字线远离基底的一侧；在半导体通道远离金属位线的顶面堆叠设置的第一下电极层和第二下电极层，第一下电极层与半导体通道顶面相接触；上电极层位于第二下电极层顶面，且包绕第一下电极层和第二下电极层；电容介质层位于上电极层与第一下电极层之间，且还位于上电极层与第二下电极层之间。本发明实施例有利于在提高半导体结构集成密度的同时，提高电容容量和提高电容尺寸精度。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底以及位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括： 第一介质层以及位于所述第一介质层内的金属位线，且所述第一介质层露出所述金属位线表面； 半导体通道，所述半导体通道位于所述金属位线的部分表面，所述半导体通道朝向所述金属位线的底面与所述金属位线电连接； 字线，所述字线环绕所述半导体通道的部分区域设置； 第二介质层，所述第二介质层位于所述金属位线与所述字线之间，且还位于所述字线远离所述基底的一侧； 在所述半导体通道远离所述金属位线的顶面堆叠设置的第一下电极层以及第二下电极层，所述第一下电极层与所述半导体通道的顶面相接触； 上电极层，所述上电极层位于所述第二下电极层的顶面，且包绕所述第一下电极层以及所述第二下电极层；电容介质层，所述电容介质层位于所述上电极层与所述第一下电极层之间，且还位于所述上电极层与所述第二下电极层之间； 第一下电极层、所述第二下电极层、所述电容介质层和所述上电极层构成电容器，所述半导体结构在金属位线延伸的方向上包括多个所述电容器，相邻电容器的上电极层彼此隔离开。

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