无锡华润上华科技有限公司赵景川获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621316B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110806790.2，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法是由赵景川;何乃龙;张森;姚玉恒设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，包括：衬底；第一导电类型的漂移区；第二导电类型的体区；第一导电类型的源区，形成于体区内；第二导电类型的体引出区，形成于体区内；第一导电类型的漏区，形成于漂移区内，并与体区间隔排布；第二导电类型的辅助耗尽区，形成于体区与漏区之间的漂移区的表层；栅极结构，横跨于源区与漂移区之上；体栅结构，包括分布于辅助耗尽区内的多个体沟槽栅以及体沟槽栅的引出结构。当场效应管正向导通时，体沟槽栅施加与栅极结构相同极性的第一电压，以降低场效应管的导通电阻，当场效应管关断时，体沟槽栅施加与第一电压极性相反的第二电压，以提高场效应管的反向耐压。
本发明授权体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种体栅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，所述场效应管包括： 衬底； 第一导电类型的漂移区，形成于所述衬底上； 第二导电类型的体区，形成于所述漂移区内； 第一导电类型的源区，形成于所述体区表层； 第二导电类型的体引出区，形成于所述体区表层； 第一导电类型的漏区，形成于所述漂移区表层，并与所述体区间隔排布； 第二导电类型的辅助耗尽区，形成于所述体区与所述漏区之间的漂移区的表层； 栅极结构，横跨于所述源区与所述漂移区之上； 体栅结构，包括分布于所述辅助耗尽区内的多个体沟槽栅以及所述体沟槽栅的引出结构；所述体沟槽栅包括位于所述辅助耗尽区的沟槽、位于所述沟槽侧壁的槽内介质层以及填充于所述槽内介质层内的导电介质，所述沟槽的深度小于所述辅助耗尽区的深度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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