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台湾积体电路制造股份有限公司简宏仲获国家专利权

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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113948572B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110906994.3,技术领域涉及:H10D62/13;该发明授权具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法是由简宏仲;陈昭宏;谢铭峯设计研发完成,并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了:本公开涉及具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法。一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底之上形成鳍结构,在鳍结构之上形成牺牲栅极结构,以及蚀刻鳍结构的源极漏极SD区域以形成SD凹部。该鳍结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层。该方法还包括在SD凹部中沉积绝缘电介质层,在绝缘电介质层的底部部分之上沉积蚀刻保护层,以及部分地去除绝缘电介质层。该方法还包括在SD凹部中生长外延SD特征。绝缘电介质层的底部插入外延SD特征和衬底。

本发明授权具有背面电源轨的半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种形成半导体结构的方法,包括: 在衬底的顶部部分中形成牺牲特征; 在所述牺牲特征之上形成鳍; 在源极漏极SD区域中使所述鳍凹陷,从而形成暴露所述牺牲特征的SD沟槽; 在所述SD沟槽中形成SD外延特征; 去除所述衬底的底部部分,从而从所述衬底的背面暴露所述牺牲特征;以及 用导电特征替换所述牺牲特征。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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