中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司冯霞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110956190.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权半导体器件及其形成方法是由冯霞;金吉松;洪中山;曾红林;陈晓军设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底顶部形成有介电层，介电层中形成开口，开口贯穿介电层，并延伸至部分厚度的衬底中；在开口中形成光电层；去除光电层侧部的部分厚度的介电层，在介电层中形成环绕光电层的沟槽，且沟槽露出光电层；形成覆盖介电层和光电层的覆盖层，覆盖层还填充于沟槽内。所述沟槽的形成，使得光电层四周的填充角度变大，相应提高了所述覆盖层在介电层和光电层之间的填充效果，从而降低所述覆盖层中产生空洞缺陷的概率，进而有利于提高半导体器件的性能例如，可靠性性能。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 介电层，位于所述衬底上； 开口，位于所述介电层和衬底内，所述开口的底部低于所述衬底表面，所述开口的顶部与所述介电层的顶面齐平； 光电层，位于所述开口中； 沟槽，位于所述光电层侧部的部分厚度的所述介电层中，所述沟槽环绕所述光电层，所述沟槽通过去除所述光电层侧部的部分厚度的所述介电层获得； 覆盖层，位于所述沟槽内和所述介电层的顶部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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