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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利显示基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116034316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002315.8，技术领域涉及：G02F1/1368；该发明授权显示基板和显示装置是由唐亮珍;段智龙;秦相磊;王建;张勇;边若梅;张武霖;许星;金红贵;俞兆虎;段金帅设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板和显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括：衬底基板；在衬底基板上的多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括：在衬底基板上的栅极；在栅极远离衬底基板一侧的栅极绝缘层；在栅极绝缘层远离栅极一侧的半导体层；以及在半导体层远离栅极绝缘层一侧的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极被间隙间隔开；其中，栅极包括内部部分和包围内部部分的外围部分，其中，内部部分在衬底基板上的正投影与半导体层在衬底基板上的正投影完全重叠，外围部分包括第一部分和第二部分，第二部分在衬底基板上的正投影比第一部分在衬底基板上的正投影更靠近间隙的端部在衬底基板上的正投影，第一部分的宽度小于第二部分的宽度。

本发明授权显示基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括： 衬底基板； 在所述衬底基板上的多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括： 在所述衬底基板上的栅极； 在所述栅极远离所述衬底基板一侧的栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层远离所述栅极一侧的半导体层；以及 在所述半导体层远离所述栅极绝缘层一侧的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极被间隙间隔开； 在所述多个薄膜晶体管的远离所述衬底基板一侧的有机绝缘层； 在所述有机绝缘层的远离所述多个薄膜晶体管一侧的像素电极； 在所述像素电极的远离所述有机绝缘层一侧的钝化层；以及 在所述钝化层的远离所述像素电极一侧的公共电极； 与所述栅极连接的栅极线，所述栅极线与所述栅极处于同一层； 与所述第二电极连接的数据线；以及 在所述公共电极的远离所述钝化层一侧的黑色矩阵，所述黑色矩阵包括沿着数据线的延伸方向延伸的第一延伸部分和沿着所述栅极线的延伸方向延伸的第二延伸部分； 其中，所述栅极包括内部部分和包围所述内部部分的外围部分，其中，所述内部部分在所述衬底基板上的正投影与所述半导体层在所述衬底基板上的正投影完全重叠，所述外围部分包括第一部分和第二部分，其中，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影比所述第一部分在所述衬底基板上的正投影更靠近所述间隙的端部在所述衬底基板上的正投影，其中，所述第一部分的宽度小于所述第二部分的宽度； 所述第一电极的延伸方向与所述栅极线的延伸方向所形成的夹角为锐角； 所述有机绝缘层包括露出所述第一电极的过孔，所述过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠； 所述数据线在所述衬底基板上的正投影位于所述黑色矩阵的第一延伸部分在所述衬底基板上的正投影的内部；所述数据线在垂直于所述数据线的延伸方向的方向上的宽度的范围为2.6微米至3微米；所述黑色矩阵的第一延伸部分在垂直于所述数据线的延伸方向的方向上的宽度的范围为5微米至7微米； 所述栅极线在所述衬底基板上的正投影位于所述黑色矩阵的第二延伸部分在所述衬底基板上的正投影的内部；所述栅极线在垂直于所述栅极线的延伸方向的方向上的宽度的范围为2.5微米至3微米；所述黑色矩阵的第二延伸部分在垂直于所述栅极线的延伸方向的方向上的宽度的范围为6微米至10微米。

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