长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115843183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111020494.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及制备方法是由王晓光;曾定桂;李辉辉;曹堪宇设计研发完成，并于2021-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及制备方法，设置于衬底上的多个呈交错排布的存储单元，存储单元包括奇数个垂直晶体管、连接奇数个垂直晶体管一端的连接垫，以及位于连接垫上的一个磁性隧道结；其中，垂直晶体管的沟道材料包括单晶半导体。由奇数个垂直晶体管为磁性隧道结提供更大的写入电流，且每个垂直晶体管的沟道材料为单晶半导体，可以进一步提升垂直晶体管的写入电流，从而提升存储单元的驱动能力，可以适用于高密度磁性随机存储器。
本发明授权半导体结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 设置于衬底上的多个呈交错排布的存储单元，所述存储单元包括奇数个垂直晶体管、连接所述奇数个垂直晶体管一端的连接垫，以及位于所述连接垫上的一个磁性隧道结； 其中，所述垂直晶体管的沟道材料包括单晶半导体； 多个所述存储单元的所述垂直晶体管在所述衬底上呈交错排布的阵列结构； 所述垂直晶体管沿所述衬底表面方向上的截面呈圆形，所述连接垫沿所述衬底表面方向上的截面呈三角形，所述三角形的顶点分别位于所述圆形截面的中点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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