华为技术有限公司杨城鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964103B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111044516.2，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件及其制备方法是由杨城鑫;孙辉;曾威;杨钢宜设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的第二区具有TGV，包括衬底以及依次层叠设置于衬底上的磊晶层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、保护层以及第二金属层；第一金属层位于第一区；第二介质层具有贯穿第二介质层以连通第一金属层和保护层的过孔，过孔内填充有连接料以形成连接件；且TGV贯穿保护层、第二介质层、第一介质层、所述磊晶层至衬底，第二金属层覆盖保护层和TGV的内壁并与衬底接触。该半导体器件中的保护层能够覆盖连接件，使其在进行TGV工艺时不被影响，保证良好的导电效果，进而不会影响器件的性能。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有第一区和第二区，所述第二区具有氮化镓通孔TGV，所述半导体器件包括：衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的磊晶层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、保护层以及第二金属层； 所述第一金属层位于所述第一区；所述第二介质层具有贯穿所述第二介质层以连通所述第一金属层和所述保护层的过孔，所述过孔内填充有连接料以形成连接件； 所述TGV贯穿所述保护层、所述第二介质层、所述第一介质层、所述磊晶层至所述衬底，所述第二金属层覆盖所述保护层和所述TGV的内壁并与所述衬底接触； 所述保护层的材质为W、Ti、TiTiN、AlTiTiN、多晶硅掺杂导电材料中的一种或几种的结合。
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