华为技术有限公司易洪昇获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利场效应管、其制备方法及电子电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111062320.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权场效应管、其制备方法及电子电路是由易洪昇;孙辉;胡浩林;高彪设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应管、其制备方法及电子电路在说明书摘要公布了：本申请提供了一种场效应管、其制备方法及电子电路，在制备时，在衬底上依次形成沟道层、控制栅极层、金属栅极层、硬质掩膜层和光刻胶层后，形成第一光刻胶掩模图案，对硬质掩膜层进行干法刻蚀，形成第一硬质掩膜图案，对第一光刻胶掩膜图案进行尺寸收缩处理，形成第二光刻胶掩模图案，第二光刻胶掩模图案暴露出第一硬质掩膜图案的部分形成台阶面，依次对第一硬质掩膜图案、金属栅极层和控制栅极层进行干法刻蚀，在干法刻蚀的过程中台阶面向下传递并停留在控制栅极的侧壁，台阶面可以改善侧壁漏电问题，采用一道掩模构图工艺制备出阶梯型栅结构，减少工艺复杂度和工业成本，且仅采用干法刻蚀形成台阶面，减少了刻蚀损伤。
本发明授权场效应管、其制备方法及电子电路在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管HEMT的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成沟道层、控制栅极层、金属栅极层、硬质掩膜层和光刻胶层； 利用掩膜板对所述光刻胶层进行构图，形成第一光刻胶掩膜图案； 利用所述第一光刻胶掩膜图案的遮挡，对所述硬质掩膜层进行干法刻蚀，形成第一硬质掩膜图案； 对所述第一光刻胶掩膜图案进行尺寸收缩处理，形成第二光刻胶掩膜图案，所述第二光刻胶掩膜图案暴露出所述第一硬质掩膜图案的部分形成台阶面； 利用所述第二光刻胶掩膜图案的遮挡，依次对所述第一硬质掩膜图案、所述金属栅极层和所述控制栅极层进行干法刻蚀，形成第二硬质掩膜图案、金属栅极和控制栅极，所述第二硬质掩膜图案和所述金属栅极在所述衬底上的正投影落入所述控制栅极的顶面在所述衬底上的正投影所在区域内，且在干法刻蚀的过程中所述台阶面向下传递并停留在所述控制栅极的侧壁。
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