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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810577B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067349.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其形成方法是由卢经文;王晓玲设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供衬底；刻蚀所述衬底，形成多个有源区、位于相邻所述有源区之间的沟槽、以及位于所述有源区下方的空气隙；形成至少填充所述沟槽的填充层。本发明有效阻挡了来自于底部的电子对有源区的干扰，降低了所述半导体结构工作过程中相邻有源区之间的干扰作用，减轻了行锤击效应的影响，改善了半导体结构的良率及性能可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 形成覆盖所述衬底的掩模层，所述掩模层中具有暴露所述衬底的开口； 沿所述开口刻蚀所述衬底，形成多个均沿第一方向延伸的第一初始有源区，且多个所述第一初始有源区沿第二方向平行排布，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底的表面，且所述第一方向与所述第二方向相交，相邻所述第一初始有源区之间具有第一凹槽； 沉积介质材料于所述衬底上，形成填充满所述第一凹槽的第一介质层； 刻蚀所述掩模层、所述第一初始有源区和所述第一介质层，形成多个沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩模层、所述第一初始有源区和所述第一介质层的第二凹槽，若干所述第二凹槽将一个所述第一初始有源区分割为多个第二初始有源区； 沿所述第二凹槽继续向下刻蚀所述衬底，于所述第二凹槽下方形成第三凹槽，多个所述第三凹槽将所述衬底分隔为多个承载部； 形成填充满所述第二凹槽和所述第三凹槽的支撑层； 去除部分所述第一介质层，形成位于相邻所述第二初始有源区之间的沟槽，残留的所述第一介质层作为调整层； 形成覆盖所述第二初始有源区表面和所述掩模层表面的第二介质层； 去除所述调整层和位于所述掩模层顶面的所述第二介质层，暴露所述第二初始有源区的下部； 去除暴露的所述第二初始有源区的下部，形成有源区以及位于所述有源区与所述承载部之间的空气隙； 形成至少填充所述沟槽的填充层。

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