西安电子科技大学马晓华获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111069074.7，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法是由马晓华;何云龙;郑雪峰;陆小力;张方;洪悦华;王晔;郝跃设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法，该制备方法包括：选取衬底层，在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管；其中，衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β‑Ga2O3材料，且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓度，阳极为NiAu金属叠层，金属Ni与漂移层的界面处形成具有P型特征的NiO层，NiO层与漂移层形成异质PN结结构。本发明的制备方法，通过低温退火形成具有P型特性薄层NiO层可与β‑Ga2O3漂移层形成异质PN结结构，可调制电场分布，改善阳极金属与氧化镓界面特性，降低反向泄漏电流，提升器件的击穿电压。
本发明授权一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高击穿电压氧化镓功率二极管的制备方法，其特征在于，包括： S1：选取衬底层，在所述衬底层上表面制备漂移层； S2：在所述衬底层的下表面制备阴极； S3：在所述漂移层的上表面制备阳极； S4：对器件进行低温退火工艺处理，得到氧化镓功率二极管； 其中，所述衬底层和所述漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga2O3材料，且所述漂移层的掺杂浓度低于所述衬底层的掺杂浓度，所述阳极为NiAu金属叠层，金属Ni与所述漂移层的界面处形成具有P型特征的NiO层，所述NiO层与所述漂移层形成异质PN结结构； S4中将器件放入退火炉进行低温退火工艺处理时，退火温度为100~500℃，使得NiAu金属叠层中的金属Ni与β-Ga2O3漂移层中的氧形成具有P型特征的NiO层，该NiO层与β-Ga2O3漂移层形成异质PN结结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安电子科技大学，其通讯地址为：710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号