中国科学院物理研究所李少青获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种模拟生物信号的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111137703.5，技术领域涉及：H10D30/40；该发明授权一种模拟生物信号的半导体器件是由李少青;周维亚;夏晓刚;王艳春;解思深设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种模拟生物信号的半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种模拟生物信号的半导体器件，包括栅、源和漏电极，源、漏电极与栅电极之间存在电解质，源、漏电极之间存在沟道。沟道材料为Li4+kTi5O120≤k≤3，栅电极材料为金属锂。在器件工作时，沟道的电压或表观电阻视栅电极信号的不同表现为：沟道的电压或表观电阻先高于对应的静息值，随时间增加逐渐降低至低于静息值；或沟道的电压或表观电阻先低于对应的静息值，随时间增加逐渐升高至高于静息值；其中，栅电极信号为施加于栅电极与源电极之间的调控信号，静息值为半导体器件未接受到栅电极信号时沟道处于平衡态时的对应的电压或表观电阻。本发明的器件具有随时间演化的复杂调控功能且具备长服役周期。
本发明授权一种模拟生物信号的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种模拟生物信号的半导体器件，其特征在于，包括： 源电极、漏电极和栅电极； 设置在所述源电极和所述漏电极之间的沟道；以及 设置在所述源电极和所述漏电极与所述栅电极之间的电解质； 其中，所述沟道的材料采用Li4+kTi5O12（0≤k≤3），且所述栅电极的材料采用金属锂，使得所述半导体器件在栅电极信号下工作时，所述沟道的电压或表观电阻视所述栅电极信号的不同表现为：所述沟道的电压或表观电阻先高于对应的静息值，随时间增加逐渐降低至低于所述静息值；或所述沟道的电压或表观电阻先低于对应的所述静息值，随时间增加逐渐升高至高于所述静息值；其中，所述栅电极信号为施加于所述栅电极与所述源电极之间的调控信号，所述静息值为所述半导体器件未接受到所述栅电极信号时所述沟道处于平衡态时对应的电压或表观电阻。
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