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龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利用于电池保护开关的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113824438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111146269.7，技术领域涉及：H03K17/10；该发明授权用于电池保护开关的半导体器件是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于电池保护开关的半导体器件在说明书摘要公布了：本公开提供了一种用于电池保护开关的半导体器件，包括：第一元胞区，第一元胞区形成有第一MOS晶体管，第一MOS晶体管接收第一控制信号以使得第一MOS晶体管导通或关断；第二元胞区，第二元胞区形成有第二MOS晶体管，第二MOS晶体管接收第二控制信号以使得第二MOS晶体管导通或关断，第一元胞区与第二元胞区相邻地设置；以及第三元胞区，第三元胞区与第二元胞区相邻地设置，第三元胞区形成有开关，开关接收第三控制信号以进行以下控制：当第一MOS晶体管进行关断动作时，开关导通以使得第二MOS晶体管在第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在第一MOS晶体管关断的同时进行关断。

本发明授权用于电池保护开关的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于电池保护开关的半导体器件，其特征在于，包括： 第一元胞区，所述第一元胞区形成有第一MOS晶体管，所述第一MOS晶体管接收第一控制信号以使得所述第一MOS晶体管导通或关断； 第二元胞区，所述第二元胞区形成有第二MOS晶体管，所述第二MOS晶体管接收第二控制信号以使得所述第二MOS晶体管导通或关断，所述第一元胞区与所述第二元胞区相邻地设置；以及 第三元胞区，所述第三元胞区与所述第二元胞区相邻地设置，所述第三元胞区形成有开关，所述开关接收第三控制信号以进行以下控制：当所述第一MOS晶体管进行关断动作时，所述开关导通以使得所述第二MOS晶体管在所述第一MOS晶体管关断之前进行关断或者在所述第一MOS晶体管关断的同时进行关断； 所述第一元胞区包括第一栅极区、第一源极区以及第一漏极区，所述第一元胞区中形成有第一寄生二极管，第一寄生二极管形成在所述第一源极区与所述第一漏极区之间； 所述第二元胞区包括第二栅极区、第二源极区以及第一漏极区，所述第二元胞区中形成有第二寄生二极管，第二寄生二极管形成在所述第二源极区与所述第一漏极区之间； 第一寄生二极管和第二寄生二极管构成反向串联结构，第一元胞区与第二元胞区共用第一漏极区； 所述第三元胞区包括第三栅极区、第二源极区以及第三漏极区，所述第三元胞区与所述第二元胞区共用所述第二源极区，所述第三元胞区的所述第三漏极区与所述第二元胞区的所述第二栅极区能够被连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海迈巨微电子有限责任公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。