长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111151974.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由卢经文设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括衬底以及初始字线结构，初始字线结构包括初始导电结构；形成隔离沟槽，被保留的部分衬底被隔离沟槽隔离形成多个相互独立的有源区结构，有源区结构覆盖初始字线结构的第一部分，隔离沟槽暴露出初始字线结构的第二部分；去除部分初始字线结构的第二部分，被有源区结构覆盖的初始导电结构的底面低于被保留的初始字线结构的第二部分的初始导电结构的底面。在本公开中通过去除位于隔离沟槽中的部分初始导电结构，减小了有源区结构中的初始导电结构之间的相邻干扰。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括： 提供初始结构，所述初始结构包括衬底以及埋入设置在所述衬底中的多条相互平行的初始字线结构，所述初始字线结构包括初始导电结构； 去除部分所述衬底和部分所述初始字线结构，形成隔离沟槽，被保留的部分所述衬底被所述隔离沟槽隔离形成多个相互独立的有源区结构，所述有源区结构覆盖所述初始字线结构的第一部分，所述隔离沟槽暴露出所述初始字线结构的第二部分； 去除所述初始字线结构的第二部分中的部分所述初始导电结构，被所述有源区结构覆盖的所述初始导电结构的底面低于被保留的所述初始字线结构的第二部分的所述初始导电结构的底面。
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