长鑫存储技术有限公司唐林获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115988868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111191469.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的处理方法是由唐林;左明光设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的处理方法在说明书摘要公布了：本公开提出一种半导体结构及半导体结构的处理方法，半导体结构包括衬底、位线结构、多层侧隔离层以及顶隔离层；位线结构设置于衬底；多层侧隔离层由内致外依次设置于位线结构的侧面；顶隔离层覆盖于位线结构和多层侧隔离层的顶面。本公开通过在位线结构和多层侧隔离层的顶面覆盖顶隔离层，能够在后续制程中利用顶隔离层保护侧隔离层不被氧化，避免因侧隔离层被氧化而导致器件形成空隙，有利于提升产品良率。
本发明授权半导体结构及半导体结构的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位线结构，设置于所述衬底； 多层侧隔离层，由内致外依次设置于所述位线结构的侧面； 顶隔离层，覆盖于所述位线结构的顶面和所述多层侧隔离层的顶面，所述顶隔离层的边缘覆盖于最外侧的所述侧隔离层的部分侧面，沿平行于所述顶隔离层顶面的方向，所述顶隔离层超出最外侧的所述侧隔离层的部分的宽度，与所述顶隔离层的整体宽度的比值为1:20~1:5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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