珠海迈巨微电子有限责任公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利集成温度检测二极管的半导体器件、电池系统及用电设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113984232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111202921.2，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权集成温度检测二极管的半导体器件、电池系统及用电设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成温度检测二极管的半导体器件、电池系统及用电设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种集成温度检测二极管的半导体器件，包括：第一元胞区，第一元胞区形成充电控制场效应管，充电控制场效应管的栅极用于接收控制信号以处于导通状态；以及，第二元胞区，第二元胞区形成有温度检测二极管，温度检测二极管检测半导体器件的当前温度；其中，第一元胞区与第二元胞区相邻地设置。本公开还提供一种电池系统及用电设备。
本发明授权集成温度检测二极管的半导体器件、电池系统及用电设备在权利要求书中公布了：1.一种集成温度检测二极管的半导体器件，其特征在于，包括： 第一元胞区，所述第一元胞区形成充电控制场效应管，所述充电控制场效应管的栅极用于接收控制信号以处于导通状态；以及 第二元胞区，所述第二元胞区形成有温度检测二极管，所述温度检测二极管检测所述半导体器件的当前温度； 其中，所述第一元胞区与所述第二元胞区相邻地设置； 所述第一元胞区与所述第二元胞区具有共同的金属基底、N型重掺杂硅层、N型硅层和P型硅层，所述N型重掺杂硅层、N型硅层和P型硅层依次设置于所述金属基底上方； 所述金属基底能够作为所述充电控制场效应管的漏极，所述第一元胞区在P型硅层的远离所述金属基底的一侧设置有第二金属电极以及第三金属电极，所述第二金属电极能够作为所述充电控制场效应管的源极，所述第三金属电极能够作为所述充电控制场效应管的栅极； 所述第二金属电极经由四个接触孔与P型硅层接触，其中两个接触孔沿第一方向排列，另两个接触孔沿第二方向排列，且第一方向垂直于第二方向，所述四个接触孔的底部均形成有P型重掺杂区，且沿第一方向排列的两个接触孔的侧方均形成N型重掺杂区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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