买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司申请的专利薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114512497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111287229.4，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法是由竹知和重设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法。多晶硅层包括多晶硅薄膜晶体管的多晶硅部。第一导体层包括多晶硅薄膜晶体管的第一栅极电极部。第一绝缘体层包括位于第一栅极电极部和多晶硅部之间的第一绝缘体部。氧化物半导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体部。第二导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极电极部。第二绝缘体层包括位于第二栅极电极部与氧化物半导体部之间的第二绝缘体部。第二绝缘体层具有不小于8的相对介电常数。第二绝缘体层的整个区域被第二导体层覆盖。

本发明授权薄膜晶体管电路及薄膜晶体管电路的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管电路，包括： 多晶硅层； 位于所述多晶硅层上方的第一导体层； 位于所述第一导体层与所述多晶硅层之间的第一绝缘体层； 氧化物半导体层； 位于所述氧化物半导体层上方的第二导体层；以及 位于所述第二导体层与所述氧化物半导体层之间的第二绝缘体层， 其中，所述多晶硅层包括多晶硅薄膜晶体管的多晶硅部， 其中，所述第一导体层包括所述多晶硅薄膜晶体管的第一栅极电极部， 其中，所述第一绝缘体层包括位于所述第一栅极电极部与所述多晶硅部之间的第一绝缘体部， 其中，所述氧化物半导体层包括氧化物半导体薄膜晶体管的氧化物半导体部， 其中，所述第二导体层包括所述氧化物半导体薄膜晶体管的第二栅极电极部， 其中，所述第二绝缘体层包括位于所述第二栅极电极部与所述氧化物半导体部之间的第二绝缘体部， 其中，所述第二绝缘体层具有不小于8的相对介电常数， 其中，所述第二绝缘体层的整个区域被所述第二导体层覆盖， 其中，所述第一绝缘体层的相对介电常数低于所述第二绝缘体层的相对介电常数， 其中，所述第二导体层包括电容元件的上电极部， 其中，所述电容元件的上电极部与所述第一栅极电极部连接，以及 其中，所述第二绝缘体层包括所述电容元件的绝缘体部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉天马微电子有限公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。