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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209280B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111448141.6，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王晓光;李辉辉;章纬;曹堪宇设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底包括外围电路区和具有存储单元的阵列区，外围电路区包括第一区域和第二区域；本公开利用制备动态随机存储器的工艺在外围电路区内同时制备出用于控制存储单元的逻辑器件和磁性存储器件，使得同一半导体结构同时具有两种存储结构，与单独制备两种存储结构的技术相比，可以简化制作步骤，降低制作成本；此外，通过制备动态随机存储器的工艺来制备磁性存储器件，可以提高磁性存储器件的集成度，便于半导体结构向集成化方向发展。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括相邻设置的外围电路区和具有存储单元的阵列区，所述外围电路区包括相邻设置的第一区域和第二区域； 采用同一制备工艺在所述第一区域内形成逻辑器件和在所述第二区域内形成磁性存储器件，所述制备工艺为用于制备动态随机存储器的工艺； 具体包括：在所述第一区域内形成逻辑晶体管，以及在所述第二区域内形成存取晶体管； 在位于所述第一区域和所述第二区域的基底上形成第一互连结构，所述第一互连结构包括第一互连层和第二互连层，所述第一互连层与所述逻辑晶体管连接，所述第二互连层与存取晶体管连接； 在所述第二互连层上形成磁性隧道结； 在所述第一互连层和所述磁性隧道结上方形成第二互连结构，所述第二互连结构包括第三互连层和第四互连层，所述第三互连层与所述第一互连层电性连接，所述第四互连层与所述磁性隧道结电性连接；其中，所述逻辑晶体管、所述第一互连层以及所述第三互连层构成所述逻辑器件，所述逻辑器件与所述存储单元连接，以对所述存储单元进行控制；所述存取晶体管、所述第二互连层、所述磁性隧道结以及所述第四互连层构成所述磁性存储器件。

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