长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209278B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111442007.5，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构是由王晓光;李辉辉;张强;吴敏敏;汪珊设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构。本申请实施例提供的半导体结构包括衬底，衬底包括第一存储区、第二存储区和外围区；外围区设在第一存储区和第二存储区的外围；第一存储区设在第二存储区的外围，且第二存储区至少有一侧与外围区相邻。相比于相关技术中，将半导体结构中两种存储单元在垂直于衬底的方向上层叠设置，本申请实施例将第一存储区和第二存储区设置在同一平面内，能够简化工艺流程，提高器件的集成性。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一存储区、第二存储区和外围区； 所述第二存储区位于所述第一存储区内，所述外围区设在所述第一存储区和第二存储区的外围； 所述第一存储区的一侧与所述第二存储区的一侧共线，所述第二存储区与所述第一存储区共线的一侧与所述外围区相邻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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