长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116206970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111449848.9，技术领域涉及：H01L21/308；该发明授权半导体结构制作方法及半导体结构是由王晓光;李辉辉;张强;汪珊;吴敏敏设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本申请实施例用以解决相关技术中阵列区和外围区基底上的配合结构需要分开制作，生产效率较低的问题。本申请实施例提供的半导体结构制作方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区；在衬底上形成覆盖阵列区和外围区的第一掩膜层；先在第一掩膜层形成第一器件结构图案，然后在第一掩膜层形成第二器件结构图案，以第一器件结构图案和第二器件结构图案为掩膜对衬底进行刻蚀，以便在衬底上同时形成外围区结构和阵列区结构，简化了工艺流程，降低了制作难度，有利于提高生产效率。
本发明授权半导体结构制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区； 在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围区的第一掩膜层； 在所述第一掩膜层上形成第一掩膜图案； 在所述第一掩膜层和所述第一掩膜图案上形成第一介质层， 在所述阵列区的所述第一介质层上形成第二掩膜层； 在所述外围区上形成第二掩膜图案；以所述第二掩膜图案为掩膜在所述第一掩膜层形成第一器件结构图案； 在所述第一器件结构图案上形成第三掩膜层； 在所述阵列区上形成第三掩膜图案；以所述第三掩膜图案为掩膜在所述第一掩膜层形成第二器件结构图案； 以所述第一器件结构图案和第二器件结构图案为掩膜对所述衬底进行刻蚀，分别形成外围区结构和阵列区结构。
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