通富微电子股份有限公司杜茂华获国家专利权
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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利扇出式封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111493912.3，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权扇出式封装方法及封装结构是由杜茂华设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本扇出式封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种扇出式封装方法及封装结构，该方法包括：提供晶圆载盘、面板载片和多组第一芯片，第一芯片的正面设置有多个导电凸块；将多组第一芯片的背面以第一阵列的形式固定在晶圆载盘的表面，在多组第一芯片的正面形成第一塑封层；将多组第一芯片与晶圆载盘分离，在多组第一芯片的正面形成高密度互连布线层；将多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将形成有高密度互连布线层的一侧固定在面板载片的表面；在多组第一芯片背离高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层；将多组第一芯片与面板载片分离，在高密度互连布线层上形成低密度互连布线层。本发明的封装方法既可以很好的实现高密度互连的需求，而且成本低，产出率高。
本发明授权扇出式封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种扇出式封装方法，其特征在于，所述方法包括： 提供晶圆载盘、面板载片和多组第一芯片，其中，所述第一芯片的正面设置有多个导电凸块； 将多组第一芯片的背面以第一阵列的形式固定在所述晶圆载盘的表面，在所述多组第一芯片的正面形成第一塑封层； 将所述多组第一芯片与所述晶圆载盘分离，在所述多组第一芯片的正面形成高密度互连布线层； 将所述多组第一芯片进行切割，并以第二阵列的形式将形成有所述高密度互连布线层的一侧固定在所述面板载片的表面； 在所述多组第一芯片背离所述高密度互连布线层的一侧形成第二塑封层； 将所述多组第一芯片与所述面板载片分离，在所述高密度互连布线层上形成低密度互连布线层。
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