全球能源互联网研究院有限公司张文婷获国家专利权
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龙图腾网获悉全球能源互联网研究院有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242571B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496268.5，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由张文婷;安运来;杨霏;刘瑞;朱涛;桑玲;田丽欣;张朋;罗松威;杜泽晨设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位。本发明将所述扩散膜中的扩散原子导入所述第一外延层填补所述第一外延层内部的空位，在降低所述第一外延层内的深能级缺陷，达到提升载流子寿命目的同时，避免了对所述第一外延层表面产生损伤，且实施方便，降低了生产成本。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成第一外延层； 在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；所述扩散膜为碳膜；形成所述扩散膜的步骤包括：在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成光刻胶膜；对所述光刻胶膜进行加热处理；对所述光刻胶膜在氮气氛围中进行碳化处理，使得所述光刻胶膜形成所述扩散膜； 形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位；所述退火处理包括依次进行的第一保温阶段至第N保温阶段，第k保温阶段的温度大于第k+1保温阶段的温度，N为大于或等于2的整数，k为大于或等于1且小于或等于N-1的整数。
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