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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114942339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111504580.4，技术领域涉及：G01Q60/24；该发明授权基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法是由赖君奇;陈琪;陈立桅设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法。该方法为：采用两步扫描法获得待测半导体样品、若干标准半导体样品的不同位置处的介电力调制差，两步扫描法为：利用原子力显微镜的探针一次扫描半导体样品，获得表面形貌和表面电势；将探针相对于表面形貌抬起后进行二次扫描，施加直流电压和调制电压，抵消表面电势，获得介电力调制差；采用数值模拟的方法获得待测半导体样品的介电力调制差与载流子浓度的定量对应关系，根据各标准半导体样品的介电力调制差和载流子浓度对定量对应关系进行校准，获得模拟关系曲线，最后得到待测半导体样品的载流子浓度。该方法能避免探针剐蹭导致测量误差，获得的有空间分辨率的微区载流子浓度。

本发明授权基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于非接触原子力显微镜的微区载流子浓度测量方法，其特征在于，所述微区载流子浓度测量方法包括： 采用两步扫描法获得待测半导体样品、若干标准半导体样品的不同位置处的介电力调制差，其中，各标准半导体样品的载流子浓度已预先标定，两步扫描法为：利用原子力显微镜的探针一次扫描半导体样品，获得表面形貌和表面电势；将探针相对于所述表面形貌抬起预设高度后进行二次扫描，二次扫描过程施加直流电压和调制电压，所述直流电压用于以抵消表面电势，获得半导体样品的不同位置处的介电力调制差； 采用数值模拟的方法获得所述待测半导体样品的介电力调制差与载流子浓度之间的定量对应关系，根据各标准半导体样品的介电力调制差和载流子浓度对所述定量对应关系进行校准，获得模拟关系曲线，根据测量得到的所述待测半导体样品的介电力调制差和所述模拟关系曲线，得到所述待测半导体样品的载流子浓度； 采用数值模拟的方法获得待测半导体样品的介电力调制差与载流子浓度之间的定量对应关系的具体方法为：根据所述探针与所述待测半导体样品的实际尺寸、空间位置关系以及相关材料的半导体物理参数构建模型；将所述模型进行有限元划分，联立泊松方程与连续性方程，在预设半导体样品载流子浓度下求解不同探针栅压下半导体样品载流子极化差异产生的介电力调制差，获得待测半导体样品的介电力调制差与载流子浓度之间的定量对应关系。

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