长鑫存储技术有限公司晁呈芳获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法、叠层结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264766B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111521993.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法、叠层结构及其形成方法是由晁呈芳设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法、叠层结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构的形成方法、叠层结构及其形成方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供叠层结构；叠层结构包括依次交替堆叠的牺牲层和支撑层，支撑层包括掺杂区和本体区；掺杂区的硬度小于本体区的硬度；执行第一刻蚀工艺，在叠层结构中形成贯穿本体区和牺牲层的第一空隙；在第一空隙的内壁沉积第一材料层；执行第二刻蚀工艺，去除掺杂区和牺牲层，在相邻的第一空隙之间形成第二空隙。通过本公开可以简化半导体结构的制备工艺。
本发明授权半导体结构的形成方法、叠层结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述方法包括： 提供叠层结构；所述叠层结构包括依次交替堆叠的牺牲层和支撑层，所述支撑层包括掺杂区和本体区；所述掺杂区的硬度小于所述本体区的硬度； 执行第一刻蚀工艺，在所述叠层结构中形成贯穿所述本体区和所述牺牲层的第一空隙； 在所述第一空隙的内壁沉积第一材料层； 执行第二刻蚀工艺，去除所述掺杂区和所述牺牲层，在相邻的所述第一空隙之间形成第二空隙。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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