长鑫存储技术有限公司陈小璇获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111570972.0，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权一种半导体结构及其制造方法是由陈小璇设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底具有第一焊垫；转接板，位于所述衬底上，所述转接板的底表面覆盖所述第一焊垫；其中，所述转接板包括第二焊垫和连接结构；所述第二焊垫位于所述转接板除底表面以外的任意表面上；所述连接结构的一端与所述第一焊垫连接，所述连接结构的另一端与所述第二焊垫连接。
本发明授权一种半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有第一焊垫； 转接板，位于所述衬底上，所述转接板的底表面覆盖所述第一焊垫；其中，所述转接板包括第二焊垫和连接结构以及密封层；所述第二焊垫位于所述转接板除底表面以外的任意表面上；所述连接结构的一端与所述第一焊垫连接，所述连接结构的另一端与所述第二焊垫连接；所述密封层的底部覆盖所述第一焊垫，所述第二焊垫位于所述密封层的侧表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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