杭州电子科技大学王晓媛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114333944B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111664072.2,技术领域涉及:G11C13/00;该发明授权基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路是由王晓媛;李谱;张新睿设计研发完成,并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于三值忆阻器交叉阵列的编码‑存储‑译码电路。本发明包括四部分,其中:三值编码器电路包括编码器运行电压源、三个输入三值忆阻器、三个电压控制型开关、三个置位电压源。三值忆阻器交叉阵列包括多个阵列单元,每行结构包括输入控制电压源、晶体管控制电压源、开关和n个阵列单元,每列结构包括双向开关、电阻和m个阵列单元。三值信号转换电路包括两个置位电压源、两个电压控制型开关、一个三值忆阻器和接地开关。三值译码器电路包括译码器运行电压源、三个输出三值忆阻器、六个电压控制型开关、置位电压源、辅助电阻和译码控制开关。本发明结构清晰简单,易于实现,对于基于忆阻器的非易失性存储领域的应用研究具有重要意义。
本发明授权基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路在权利要求书中公布了:1.基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路,其特征在于,包括: 包括三值编码器电路、三值忆阻器交叉阵列、三值信号转换电路和三值译码器电路四个部分; 所述的三值编码器电路包括编码器运行电压源、三个输入三值忆阻器、三个电压控制型开关和三个置位电压源; 编码器运行电压源VRun1的正极接第一编码器输入三值忆阻器Min1的正极和第一编码器电压控制型开关SEn1的负极,第一编码器输入三值忆阻器Min1的负极接第一编码器电压控制型开关SEn1的正极、第二编码器电压控制型开关SEn2的负极和第二编码器输入三值忆阻器Min2的正极,第二编码器输入三值忆阻器Min2的负极接第二编码器电压控制型开关SEn2的正极、第三编码器电压控制型开关SEn3的负极和第三编码器输入三值忆阻器Min3的正极,第三编码器输入三值忆阻器Min3的负极接第三编码器电压控制型开关SEn3的正极;编码器置0电压源VSet0的正极接第一编码器电压控制型开关SEn1的一个控制端,编码器置1电压源VSet1的正极接第二编码器电压控制型开关SEn2的一个控制端,编码器置2电压源VSet2的正极接第三编码器电压控制型开关SEn3的一个控制端,第一编码器电压控制型开关SEn1、第二编码器电压控制型开关SEn2和第三编码器电压控制型开关SEn3的另一个控制端连接,作为三值编码器电路输出端,与三值忆阻器交叉阵列第一行中的输入控制电压源V的负极连接;编码器运行电压源VRun1的负极、编码器置0电压源VSet0的负极、编码器置1电压源VSet1的负极、编码器置2电压源VSet2的负极和第三编码器输入三值忆阻器Min3的负极接地; 所述的三值忆阻器交叉阵列包括m×n个阵列单元,每行结构包括输入控制电压源V、晶体管控制电压源Vdd、开关S和n个阵列单元;每个阵列单元包括一个三值忆阻器M和一个PMOS管,PMOS管的漏极接三值忆阻器M的正极;同一行每个阵列单元的PMOS管的栅极串连,接晶体管控制电压源Vdd的正极,同一行每个阵列单元的PMOS管的源极串连后,通过开关S接输入控制电压源V的正极; 每列结构包括一个双向开关K、一个电阻R和m个阵列单元,同一列每个阵列单元中三值忆阻器M的负极串连后接双向开关K的常闭端,双向开关K的一个开合端作为读电路选择端通过电阻R接地,双向开关K的另一个开合端作为写电路选择端直接接地; 相邻两行结构的输入控制电压源V的负极通过隔断开关Z连接,第一行的输入控制电压源V的负极与三值编码器电路输出端连接,最后一行的输入控制电压源V的负极通过隔断开关Z接地,每行结构的晶体管控制电压源Vdd的负极串连后接地; 所述的三值信号转换电路包括两个置位电压源、两个电压控制型开关和一个三值忆阻器和接地开关J;第一转换电压控制型开关ST1的正极和第二转换电压控制型开关ST2的正极,接三值忆阻器交叉阵列中第一列的双向开关K的读电路选择端,第一转换电压控制型开关ST1的负极和第二转换电压控制型开关ST2的负极接地;第一转换电压控制型开关ST1的一个控制端和第二转换电压控制型开关ST2的一个控制端串联后接转换输出三值忆阻器Min的正极,转换输出三值忆阻器Min的负极通过接地开关J接地;第一转换电压控制型开关ST1的另一个控制端接转换置1电压源VT1的正极,第二转换电压控制型开关ST2的另一个控制端接转换置2电压源VT2的正极,转换置1电压源VT1和转换置2电压源VT2的负极接地; 所述的三值译码器电路包括译码器运行电压源、三个输出三值忆阻器、六个电压控制型开关、一个置位电压源、一个辅助电阻和译码控制开关; 第一译码器电压控制型开关SDe1的负极、第二译码器电压控制型开关SDe2的负极、第三译码器电压控制型开关SDe3的负极、第四译码器电压控制型开关SDe4的正极、第五译码器电压控制型开关SDe5的正极和第六译码器电压控制型开关SDe6的正极连接后接三值信号转换电路中转换输出三值忆阻器Min的负极和辅助电阻R′的一端;第一译码器电压控制型开关SDe1的正极、第二译码器电压控制型开关SDe2的正极和第三译码器电压控制型开关SDe3的正极连接后接三值信号转换电路中转换输出三值忆阻器Min的正极,并通过译码控制开关KDe接译码器运行电压源VRun2的正极;第四译码器电压控制型开关SDe4的负极、第五译码器电压控制型开关SDe5的负极和第六译码器电压控制型开关SDe6的负极接地; 第一译码器输出三值忆阻器Mout1的正极接第一译码器电压控制型开关SDe1的一个控制端,第一译码器电压控制型开关SDe1的另一个控制端接第四译码器电压控制型开关SDe4的一个控制端;第二译码器输出三值忆阻器Mout2的正极接第二译码器电压控制型开关SDe2的一个控制端,第二译码器电压控制型开关SDe2的另一个控制端接第五译码器电压控制型开关SDe5的一个控制端;第三译码器输出三值忆阻器Mout3的正极接第三译码器电压控制型开关SDe3的一个控制端,第三译码器电压控制型开关SDe3的另一个控制端接第六译码器电压控制型开关SDe6的一个控制端;第四译码器电压控制型开关SDe4的另一个控制端、第五译码器电压控制型开关SDe5的另一个控制端和第六译码器电压控制型开关SDe6的另一个控制端连接后接译码器置1电压源VSet1的正极;第一译码器输出三值忆阻器Mout1的负极、第二译码器输出三值忆阻器Mout2的负极、第三译码器输出三值忆阻器Mout3的负极、译码器运行电压源VRun2的负极、译码器置1电压源VSet1的负极和辅助电阻R′的另一端接地。
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