深圳TCL新技术有限公司余灿强获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳TCL新技术有限公司申请的专利电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114491983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210015428.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法、装置、设备及存储介质是由余灿强;陈欣;周武君设计研发完成，并于2022-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法、装置、设备及存储介质，电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法包括：创建屏蔽罩对应的仿真模型，对所述仿真模型进行电磁场特性仿真，得到初始电磁辐射参数；根据所述初始电磁辐射参数调整所述仿真模型，对调整后的仿真模型进行电磁场特性仿真，得到目标电磁辐射参数；若所述目标电磁辐射参数与预设标准参数匹配，则按照调整后的仿真模型输出屏蔽罩的缝隙尺寸信息。设计仿真进行屏蔽罩优化，减少了打样成本亏损以及工时亏损，大大降低了设计成本。
本发明授权电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种电磁干扰屏蔽罩缝隙设计方法，其特征在于，包括： 创建屏蔽罩对应的仿真模型，对所述仿真模型进行电磁场特性仿真，得到初始电磁辐射参数； 根据所述初始电磁辐射参数调整所述仿真模型，对调整后的仿真模型进行电磁场特性仿真，得到目标电磁辐射参数； 若所述目标电磁辐射参数与预设标准参数匹配，则按照调整后的仿真模型输出屏蔽罩的缝隙尺寸信息； 所述根据所述初始电磁辐射参数调整所述仿真模型，对调整后的仿真模型进行电磁场特性仿真，得到目标电磁辐射参数，包括： 基于缝隙处初始电磁辐射强度调整三维物理模型的缝隙参数； 将调整缝隙参数后的三维物理模转换为仿真模型，得到调整后的仿真模型； 输入与所述预设标准参数对应的电路高频信号对应的仿真激励到调整后的仿真模型，并获取目标电磁辐射参数，所述目标电磁辐射参数包括调整缝隙参数后的缝隙处目标电磁辐射强度以及预设检测距离处的目标电磁辐射强度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳TCL新技术有限公司，其通讯地址为：518052 广东省深圳市南山区西丽街道中山园路1001号国际E城D4栋9楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号