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长鑫存储技术有限公司胡健获国家专利权

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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利介质层可靠性评估方法和评估介质层可靠性的测试系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116482215B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210043050.2,技术领域涉及:G01N27/92;该发明授权介质层可靠性评估方法和评估介质层可靠性的测试系统是由胡健;唐伟;石晓;熊阳设计研发完成,并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

介质层可靠性评估方法和评估介质层可靠性的测试系统在说明书摘要公布了:本公开实施例涉及半导体领域,提供一种介质层可靠性评估方法和评估介质层可靠性的测试系统,方法包括:提供存储器,存储器包括多个子字线驱动器和多条子字线,每个子字线驱动器包括多个晶体管,每个晶体管包括栅极、源极、漏极和介质层,多个晶体管共用栅极和源极,多条子字线与多个漏极一一对应电连接;给存储器提供预充电指令,给至少一个子字线驱动器进行预充电,且所有子字线处于关断状态,至少一个子字线驱动器经历至少一次预充电,实时获取每一预充电所经历的实际时长;进行预充电的子字线驱动器中的介质层为目标介质层,基于实际时长实现对目标介质层的可靠性评估。本公开实施例至少可以实现对子字线驱动器中目标介质层的可靠性评估。

本发明授权介质层可靠性评估方法和评估介质层可靠性的测试系统在权利要求书中公布了:1.一种介质层可靠性评估方法,其特征在于,包括: 提供存储器,所述存储器包括多个子字线驱动器和多条子字线,每个所述子字线驱动器包括多个晶体管,每个所述晶体管包括栅极、源极、漏极和介质层,多个所述晶体管共用所述栅极和所述源极,多条所述子字线与多个所述漏极一一对应电连接; 给所述存储器提供预充电指令,给至少一个所述子字线驱动器进行预充电,且所有所述子字线处于关断状态; 至少一个所述子字线驱动器经历至少一次所述预充电,实时获取每一所述预充电所经历的实际时长,实时获取每一所述预充电的步骤中的所述存储器的待机电流,所述待机电流为所述预充电的步骤中,所述存储器中所有存储单元均处于空闲状态时的静态电流; 进行所述预充电的所述子字线驱动器中的所述介质层为目标介质层,基于所述实际时长实现对所述目标介质层的可靠性评估,所述可靠性评估包括如下步骤:实时判断所述实际时长与所述预充电所允许经历的最大时长的大小,若所述实际时长大于所述最大时长,判定所述目标介质层失效;若所述实际时长小于等于所述最大时长,实时判断所述待机电流与所述预充电时所述存储器所允许通过的最大待机电流的大小,若所述待机电流大于所述最大待机电流,判定所述目标介质层失效。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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