浙江树人学院(浙江树人大学)邵雅斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉浙江树人学院(浙江树人大学)申请的专利一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114415079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210041415.8,技术领域涉及:G01R33/032;该发明授权一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置是由邵雅斌;陈晨;贾炀;于海龙;刘佳;冯恒利;张扬;吴桐设计研发完成,并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置在说明书摘要公布了:本发明涉及磁场探测技术领域,具体涉及一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置,包括衬底、拓扑绝缘体层、磁致伸缩材料,拓扑绝缘体层置于衬底上,拓扑绝缘体层的表面设有空腔,磁致伸缩材料填充所述空腔。应用时,将该探测装置置于待测环境中,太赫兹源发射太赫兹波,太赫兹波照射本发明的探测装置,通过透射的太赫兹波变化实现磁场探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力,本发明将传感物质与激发源、探测器分离,能够实现非接触式的磁场探测,在磁场探测领域具有良好的应用前景。
本发明授权一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置在权利要求书中公布了:1.一种基于太赫兹波吸收的磁场探测装置,其特征在于,包括衬底、拓扑绝缘体层、磁致伸缩材料,所述拓扑绝缘体层置于所述衬底上,所述拓扑绝缘体层的表面设有空腔,所述空腔的底部粗,所述空腔的顶部细,所述磁致伸缩材料填充所述空腔,所述空腔不贯穿所述拓扑绝缘体层,待测磁场改变了磁致伸缩材料的尺寸,磁致伸缩材料压迫空腔侧面和底面的拓扑绝缘体材料,改变拓扑绝缘体材料的表面态,从而改变了拓扑绝缘体层的表面等离激元共振,对太赫兹波产生不同程度的吸收,通过透射的太赫兹波变化实现磁场探测。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江树人学院(浙江树人大学),其通讯地址为:312028 浙江省绍兴市柯桥区杨汛桥街道江夏路2016号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。