3-5电力电子有限责任公司;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司V·杜德克获国家专利权
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龙图腾网获悉3-5电力电子有限责任公司;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司申请的专利堆叠状的III-V族半导体二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210104842.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权堆叠状的III-V族半导体二极管是由V·杜德克;J·科瓦尔斯基;R·博贾尼;D·富尔曼;T·维尔茨科夫斯基设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠状的III-V族半导体二极管在说明书摘要公布了：一种堆叠状的III‑V族半导体二极管，包括GaAs或由GaAs组成，具有高n掺杂的阴极层、高p掺杂的阳极层和布置在所述阴极层与所述阳极层之间的漂移区，所述漂移区具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度和至少10μm的层厚，其中，所述阴极层具有δ层区段，所述δ层区段具有从0.1μm至2μm的层厚和至少1·1019cm‑3的掺杂剂浓度。
本发明授权堆叠状的III-V族半导体二极管在权利要求书中公布了：1.一种堆叠状的III-V族半导体二极管10，所述堆叠状的III-V族半导体二极管包括GaAs或由GaAs组成，所述堆叠状的III-V族半导体二极管具有 高n掺杂的阴极层16， 高p掺杂的阳极层12，和 漂移区14，所述漂移区布置在所述阴极层16与所述阳极层12之间，并且所述漂移区具有最高8·1015cm-3的掺杂剂浓度和至少10μm且最大80μm的层厚DD，或至少10μm且最大100μm的层厚DD， 其特征在于， 所述阴极层16具有第一区段16.1和第二区段16.2，并且所述第一区段构造为如下的δ层区段：所述δ层区段具有在0.1μm至1μm之间或0.1μm至2μm的层厚DK1，并且所述第一区段具有至少1·1019cm-3或至少2·1019cm-3的掺杂剂浓度，其中，所述第二区段16.2布置在所述第一区段16.1与所述漂移区14之间， 与所述δ层区段相比，所述阴极层16的第二区段16.2具有更低的掺杂剂浓度，并且所述阴极层16的第二区段16.2具有高于1·1018cm-3的掺杂剂浓度。
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