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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530451B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210117348.3，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路是由李聪;李高鹏;郭增光;成善霖;游海龙;庄奕琪设计研发完成，并于2022-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路，主要解决现有存储器单元读写稳定性差的问题。其包括两个N型接入晶体管AXL、AXR，两个N型下拉晶体管PL、PR，两个存储节点QL、QR，一根字线WL，两根位线BL、BLB。PL和PR的源极均接地，漏极分别与QL、QR相连，栅极分别与QR、QL相连；AXL和AXR的下层栅极均与WL相连，漏极分别与BL、BLB相连，源极及上层栅极分别与QL、QR相连。两个接入晶体管上层栅极的金属功函数均低于两个下拉晶体管栅极的金属功函数，下层栅极的金属功函数均高于下拉晶体管栅极的金属功函数。本发明提高了存储器电路读写稳定性，可用于大规模集成电路制备。

本发明授权基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元电路在权利要求书中公布了：1.一种基于堆叠纳米片结构的四管静态随机存储器单元单元电路，包括两个N型接入晶体管和AXL和AXR，两个N型下拉晶体管PL和PR，两个存储节点QL、QR，一根字线WL，两根位线BL、BLB，该第一下拉晶体管PL的源极接地，漏极与存储节点QL相连，栅极与存储节点QR相连；该第二下拉晶体管PR的源极接地，漏极与存储节点QR相连，栅极与存储节点QL相连，其特征在于； 所述两个接入晶体管AXL与AXR，均包括若干个堆叠的沟道，沟道的下层包裹有下层栅极，未被下层栅极包裹的沟道上包裹有上层栅极，这两个接入晶体管AXL、AXR上层栅极所用材料的金属功函数均低于两个下拉晶体管PL与PR栅极所用的材料金属功函数，且接入晶体管AXL、AXR下层栅极所用材料的金属功函数高于下拉晶体管PL与PR栅极所用的材料金属功函数； 该第一接入晶体管AXL，其下层栅极与字线WL相连，漏极与第一位线BL相连，源极及上层栅极与第一存储节点QL相连；该第二接入晶体管AXR，其下层栅极与字线WL相连，漏极与第二位线BLB相连，源极及上层栅极与第二存储节点QR相连，实现在读状态下与写状态下的数据读写以及保持状态的数据存储。

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