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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114566573B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210130902.1，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法，该芯片依次包括：蓝宝石衬底、AlN缓冲层、未掺杂AlGaN层、N型掺杂AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型掺杂GaN层以及接触层；其中，多量子阱层包括多个周期的量子阱结构，单个周期的量子阱结构包括AlxGa1‑xN阶层与AlyGa1‑yN垒层，其中，x、y为大于0的常数，并且在AlxGa1‑xN阶层与AlyGa1‑yN垒层之间设有InGaN层，以通过InGaN层调控单个周期的量子阱结构中AlGaN的应变状态。本发明能够解决现有技术中只能改善由内部全反射带来的光提取问题，无法从根本上解决深紫外LED量子阱发光区出射光的侧向传播问题。

本发明授权一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片依次包括：蓝宝石衬底，设于所述蓝宝石衬底之上的AlN缓冲层，设于所述AlN缓冲层之上的未掺杂AlGaN层、设于所述未掺杂AlGaN层之上的N型掺杂AlGaN层，设于所述N型掺杂AlGaN层之上的多量子阱层，设于所述多量子阱层之上的电子阻挡层、设于所述电子阻挡层之上的P型掺杂GaN层以及设于所述P型掺杂GaN层之上的接触层； 其中，所述多量子阱层包括5-12个周期的量子阱结构，单个周期的所述量子阱结构包括AlxGa1-xN阶层与AlyGa1-yN垒层，其中，x、y为大于0的常数，并且在所述AlxGa1-xN阶层与所述AlyGa1-yN垒层之间设有InGaN层，所述InGaN层为薄插入层，以通过所述InGaN层调控单个周期的所述量子阱结构中AlGaN的应变状态，改变深紫外发光二极管芯片的光偏振特性，使侧向TM模转向正向TE模。

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