桂林电子科技大学张玉婷获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114583460B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210145415.2，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器是由张玉婷;刘坤;黄巍;杜浩;郝晓源;刘嵩义;杨松;吕铄设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器在说明书摘要公布了：本发明涉及电磁超材料技术领域，具体涉及一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器，包括基底层、介质层、暗模谐振器和明模谐振器，介质层包括掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层，掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层由下至上依次堆叠于基底层和暗模谐振器之间，与其他结构实现及调节电磁诱导透明EIT而需要对每个结构单元单独设计参数的方法不同，可以在同一装置中实现动态调制，即通过外加电压控制氧化铟锡的介电常数从而控制整个结构的传输频谱，更易于实际应用。本发明有助于提高可调节电磁诱导透明效应的多样性和功能。
本发明授权一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化铟锡的可调电磁诱导透明谐振器，其特征在于， 包括基底层、介质层、暗模谐振器和明模谐振器，所述介质层和所述明模谐振器均设置于所述基底层的顶端，所述明模谐振器位于所述介质层的一侧，所述暗模谐振器设置于所述介质层的顶端； 所述介质层包括掺杂硅、二氧化铪和氧化铟锡层，所述掺杂硅、所述二氧化铪和所述氧化铟锡层由下至上依次堆叠于所述基底层和所述暗模谐振器之间，所述基底层采用石英衬底，所述暗模谐振器采用硅圆环，所述明模谐振器采用硅条； 所述氧化铟锡的表面和所述掺杂硅的表面各引出一个电极，施加偏置电压，改变氧化铟锡的性质。
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